Магазин
О сервисе
Услуги
Конкурсы
Новости
Акции
Помощь
8 800 500 11 67
RUB
Сменить валюту
Войти
Поиск
Все книги
Импринты
Бестселлеры
Бесплатные
Скидки
Подборки
Книги людям
12+
Все
Информационные технологии
Информационные технологии: общее
Оглавление - Фотоэлектрические явления в широкозонных полупроводниковых гетероструктурах с глубокими примесными уровнями
Монография
С. Отажонов
Нодир Алимов
Электронная
80 ₽
Печатная
597 ₽
Читать фрагмент
Купить
Объем: 112 бумажных стр.
Формат: epub, fb2, pdfRead, mobi
Подробнее
0.0
0
Оценить
О книге
отзывы
Оглавление
Читать фрагмент
Введение
§1. Край поглощения света тонких пленок CdTe с глубокими уровнями
§2. Некоторые общие соображения о спектральном распределении фотоЭДС и фотопроводимости
§3. Фотопроводимость в поликристаллических пленках CdTe в области примесного поглощения света
§4. Примесный АФН-эффект. Спектральное распределение фото- ЭДС в Тонких пленках
§5. Спектр глубоких уровней в Тонких пленках CdTe: Ag
§6. Пикосекундная фотопроводимость поликристаллических пленок CdTe: Ag
§7. Механизм образования фото-ЭДС в примесной и собственной областях оптического поглощения
§8. Влияние имплантации бора, серебра и меди на фотоэлектрические свойства плёнок CdTe
§9. Изменение спектральных характеристик фотопроводимости и фото — ЭДС пленок CdTe: Ag при термообработке с участием хлора
§10. Влияние материала подложки на фотоэлектрические свойства пленок CdTe
§11. Влияние механической деформации на спектральную чувствительность пленок CdTe: Ag
Выводы
Литература